革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業
文部科学省(研究開発局 環境エネルギー課)の事業。令和7年度当初予算 13.5億円(前年度 13.5億円)、令和8年度概算要求 0円。主な支出先は国立大学法人東北大学、東京都公立大学法人。
事業の目的
本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN等の次世代半導体の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等のパワーエレクトロニクス(パワエレ)技術を実現することにより、世界に先駆けた超省エネ・高性能なパワエレ機器の早期創出に貢献し、2050 年カーボンニュートラルの実現と世界市場獲得を目指す。
事業の概要
GaN、SiC、Ga2O3等の次世代半導体を用いたパワエレ技術に関して、パワエレ回路システム、パワーデバイス、受動素子等について、各デバイス特性を活かした積み上げ型の研究開発に加えて、それらを俯瞰、連携した組合せ型の研究開発を行うことのできる研究開発体制とハブテクノロジー(パワエレ機器トータルとしてまとめあげる技術)を構築し、基礎基盤研究を実施する。
現状・課題
パワエレ技術は、パワーデバイス、コイルやコンデンサなどの受動素子等、それらを搭載・制御するパワエレ回路システムを組み合わせた複合技術であり、パワーデバイスや受動素子等が特定の条件において優れた特性を示しても、パワエレ機器としてみた場合、実用上は不十分である場合があることから、パワエレ構成要素それぞれの特性を生かした個々の積み上げ型の研究開発に加えて、あくまでパワエレ機器トータルとして「まとめあげる」ことに主軸を置いた、統合的な研究開発が必要である。
予算の推移
| 令和3年度 | 令和4年度 | 令和5年度 | 令和6年度 | 令和7年度 | 令和8年度要求 |
|---|---|---|---|---|---|
| 13.5億円 | 13.5億円 | 13.5億円 | 13.5億円 | 13.5億円 | — |
当初予算。
支出先(国から直接、上位2者)
令和6年度の支出実績。支出先は全29者。このほか再委託・再交付の先が 42 件あります(金額は上の支出と重なるため合計しません)。
| 支出先 | 法人番号 | 契約方式 | 金額 |
|---|---|---|---|
| 国立大学法人東北大学 | 7370005002147 | 随意契約(企画競争) 6者 | 2.2億円 |
| 東京都公立大学法人 | 6011105002701 | 随意契約(企画競争) 4者 | 0.59億円 |
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根拠法令・関係する計画
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- 第6期科学技術・イノベーション基本計画(令和3年3月閣議決定)
- 統合イノベーション戦略2025(令和7年6月閣議決定)
比較・検索できる画面で見る レビューシート原本(行政事業レビュー見える化サイト)
出典:行政事業レビュー見える化サイト 令和7年度版のレビューシート(事業番号 1684)を加工。